半导体专用臭氧发生器200-500g

该半导体专用臭氧发生器，高臭氧浓度、低耗氧量、低功耗、相关反应性高、低能耗，在半导体清洗刻蚀方面的应用获得二项发明专利。内部采用专利陶瓷臭氧发生单元、施耐德电器件、专用气源预处理系统及PSA变压吸附制氧技术，防潮防爆防泄漏，浓度高且产量稳定，性能可靠。整体结构制氧一体机设计，安装方便，占地面积小。可实现全自动PLC控制，操作面板采用触摸屏控制主机，臭氧的产生及臭氧投加系统中的各个环节、设备都可进行集中控制。